江苏优普纳科技有限公司的碳化硅减薄砂轮,采用自主研发的强度高微晶增韧陶瓷结合剂及多孔砂轮显微组织调控技术,打破国外技术垄断,实现国产化替代。相比进口砂轮,产品磨耗比降低至15%-35%(粗磨)及100%-300%(精磨),表面粗糙度Ra≤3nm,TTV精度达2μm以内,适配东京精密、DISCO等国际主流设备。例如,在8吋SiC线割片加工中,砂轮磨耗比只为30%(粗磨)和200%(精磨),效率提升20%以上,明显降低客户综合成本。欢迎您的随时咨询~优普纳砂轮的低磨耗比优势,不仅降低客户成本,还保证加工后的晶圆表面质量,是高性价比的国产化替代方案。江苏砂轮工艺

优普纳不只提供高性能砂轮,更构建了覆盖售前、售中、售后的全周期服务体系。针对客户新设备导入或工艺升级需求,优普纳技术团队可提供磨削参数优化(如进给速度、冷却液配比)与砂轮选型指导。某客户在导入12吋SiC试验线时,优普纳通过定制25000#砂轮与工艺调试,将TTV从初始的5μm降至2μm,良率提升40%,加速产线量产进程。江苏优普纳科技有限公司专业生产砂轮,品质有保证,欢迎您的随时致电咨询,为您提供满意的产品以及方案。碳化硅减薄砂轮硬度优普纳砂轮的强度高微晶增韧陶瓷结合剂,赋予产品优异的耐磨性和韧性,确保在高负荷加工条件下的稳定性能。

江苏优普纳科技有限公司的碳化硅晶圆减薄砂轮,以其高精度、低损耗、强适配的特性,成为第三代半导体材料加工的优先选择。在实际应用中,无论是粗磨还是精磨,优普纳的砂轮都能展现出优越的性能。在东京精密-HRG200X减薄机上,6吋和8吋SiC线割片的加工结果显示,表面粗糙度Ra值和总厚度变化TTV均达到了行业先进水平。同时,砂轮的磨耗比极低,使用寿命长,为客户节省了大量成本。此外,优普纳的砂轮还能根据客户设备进行定制,适配性强,能够满足不同客户的多样化需求。这种综合优势,使得优普纳在国产碳化硅减薄砂轮市场中脱颖而出,成为行业的目标。
作为激光改质层减薄砂轮的专业制造商,江苏优普纳科技有限公司凭借先进的生产设备和技术团队,在行业内树立了良好的口碑。我们致力于研发高性能的磨削工具,以满足客户在不同加工领域的需求。公司拥有一系列自主研发的激光改质技术,能够根据客户的具体要求,提供定制化的砂轮解决方案。此外,江苏优普纳科技有限公司注重与客户的沟通与合作,提供全方面的技术支持和服务,确保客户在使用我们的产品时能够获得更佳的加工效果。我们相信,凭借我们的技术优势和服务理念,江苏优普纳科技有限公司将在激光改质层减薄砂轮市场中继续保持先进地位。优普纳科技的碳化硅晶圆减薄砂轮,通过持续的技术改进和工艺优化,不断提升产品性能 满足日益增长市场需求。

江苏优普纳科技有限公司:强度高微晶增韧陶瓷结合剂通过优化陶瓷相分布,提升砂轮抗冲击性,减少磨粒脱落;多孔显微组织调控技术增强冷却液渗透效率,降低磨削热损伤。两项技术结合使砂轮寿命延长30%,磨削效率提升25%,尤其适用于高硬度SiC晶圆加工。实际案例显示,在DISCO-DFG8640设备上,8吋晶圆精磨磨耗比达200%,远优于行业平均水平。江苏优普纳科技有限公司专业生产砂轮,品质有保证,欢迎您的随时致电咨询,为您提供满意的产品以及方案。 优普纳科技的碳化硅晶圆减薄砂轮,以技术创新为驱动,不断优化产品性能,满足了第三代半导体材料加工需求。江苏砂轮工艺
优普纳砂轮于东京精密-HRG200X减薄机上,对8吋SiC线割片进行粗磨,磨耗比35%,Ra≤30nm,TTV≤3μm。江苏砂轮工艺
江苏优普纳碳化硅减薄砂轮凭借超细金刚石磨粒与高自锐性设计,在第三代半导体晶圆加工中实现低损伤、低粗糙度的行业突破。以DISCO-DFG8640设备为例,精磨8吋SiC线割片时,砂轮磨耗比达200%,表面粗糙度Ra≤3nm,TTV精度≤2μm,完全满足5G芯片、功率器件对晶圆平整度的严苛要求。对比进口砂轮,优普纳产品在相同加工条件下可减少磨削热损伤30%,明显提升晶圆良率,尤其适用于新能源汽车电驱模块等高附加值领域。欢迎您的随时致电咨询。江苏砂轮工艺
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